Новый 40В MOSFET IQE013N04LM6xx в инновационном семействе OptiMOS от Infineon Technologies

От современных модулей силовой электроники требуются все более высокие значения удельной мощности при одновременном снижении форм-фактора для достижения максимальной эффективности систем. Infineon Technologies успешно решает эту проблему, сосредоточив внимание на сочетании системных инноваций с усовершенствованиями на уровне компонентов. Помимо 25В MOSFET, представленных в феврале, Infineon выводит на рынок новый низковольтный силовой 40В MOSFET IQE013N04LM6xx, изготовленный по технологии OptiMOS. Он использует очень компактный PQFN корпус с SD (Source-Down) расположением кристалла и площадью основания 3.3 x 3.3 мм². Новый SD 40В MOSFET в первую очередь предназначен для импульсных источников питания серверов, телекоммуникационных модулей, электроинструментов, зарядных устройств и защиты аккумуляторных батарей.

В SD-корпусе кристалл переворачивается вверх дном, в результате чего исток подключается к печатной плате через термопрокладку вместо стока. Такое необычное решение приводит к снижению R ds(on) до 25 процентов по сравнению с традиционной конструкцией. Тепловое сопротивление между переходом и корпусом (R thJC) также значительно снижено по сравнению с традиционными корпусами PQFN. Новый MOSFET SD OptiMOS может выдерживать высокие длительные токи до 194 A. Вместе в этим, возможность более эффективного использования печатной платы обеспечивает дополнительную гибкость в конструировании, снижая форм-фактор изделия при сохранении высокой эффективности.

IQE013N04LM6xx доступен в двух версиях: стандартной и Center-Gate с центральным затвором. Вариант Center-Gate оптимизирован для параллельной работы нескольких устройств. Оба варианта выпускаются в PQFN корпусе 3.3 x 3.3 мм² и доступны для заказа уже сейчас. Более подробная информация об изделиях на сайте производителя www.infineon.com/source-down