Новые MOSFET с логическим уровнем 120 В в корпусе SuperSO8
Компания Infineon дополнила семейство транзисторов OptiMOS тремя новыми компонентами в компактном корпусе SuperSO8, работающими с логическим уровнем 120 В. Новые MOSFET имеют низкий заряд затвора, что снижает коммутационные потери и позволяет работать на высоких частотах переключения. Низкое напряжение затвора транзисторов позволяет управлять ими напрямую с микроконтроллера без использования дополнительных микросхем. Новые MOSFET прекрасно подходят для применения в зарядных устройствах, адаптерах питания и телекоммуникационном оборудовании.
Особенности:
- Низкое сопротивление «сток-исток» открытого канала (RDS(on));
- Компактный корпус SuperSO8 (PG-TDSON-8);
- Логический уровень 120 В;
- Низкий заряд затвора, низкие коммутационные потери;
- Низкое напряжение затвора, возможность работы напрямую от микроконтроллера.
Области применения:
- Зарядные устройства;
- Адаптеры питания;
- Телекоммуникационное оборудование.
Примеры использования MOSFET OptiMOS 3
| Наименование | Id @ 100°С | RDS(on),max@ 25°C | Корпус |
|---|---|---|---|
| BSC080N12LSGATMA1 | 77 А | 8 мОм | PG-TDSON-8 |
| BSC120N12LSGATMA1 | 53 А | 12 мОм | PG-TDSON-8 |
Оригинал новости
|
|
Написать сообщение
|
